InAs/GaAs 自组装量子点的应变分布和电子结构的理论研究
THEORETICAL STUDYOF STRAIN DISTRIBUTION AND ELECTRONIC STRUCTURE OF InAs/GaAs SELF-ASSEMBLED QUANTUM DOTS
摘要
Abstract
Contents
第1章 绪论
1.1 引言
1.2 量子点的研究概况
1.2.1 量子点纳米材料的发展
1.2.2 量子点的器件应用
1.2.3 InAs/GaAs自组装量子点的理论研究进展
1.3 本论文的内容和结构
第2章 InAs/GaAs自组装量子点
2.1 引言
2.2 分子束外延法——形成基础
2.2.1 分子束外延法的基本概念
2.2.2 Stranski-Krastanow生长模式
2.3 InAs/GaAs自组装量子点的特性
2.4 本章小结
第3章 InAs/GaAs自组装量子点的应变分布
3.1 引言
3.2 胡克定律法计算量子点应变分布
3.2.1 立方形量子点
3.2.2 圆柱形量子点
3.2.3 球形量子点
3.2.4 金字塔形量子点
3.2.5 结果与讨论
3.3 本章小结
第4章 InAs/GaAs自组装量子点的电子能带结构的理论计算
4.1 引言
4.2 几种常见形状量子点的能带计算
4.2.1 圆柱形量子点的能带计算
4.2.2 抛物线型量子点的能带计算
4.2.3 透镜形量子点的能带计算
4.2.4 共焦透镜形量子点的能带计算
4.2.5 椭圆柱形量子点的能带计算
4.3 半导体能带 微扰法
4.4 应变对量子点电子结构的影响
4.5 本章小结
第5章 InAs/GaAs自组装量子点的Stark效应
5.1 引言
5.2 量子点的Stark效应的计算
5.2.1 理论模型
5.2.2 结果与讨论
5.3 本章小结
结论
参考文献
附录1 金字塔形量子点的一般应力分布表达式
附录2 量子点Stark效应的积分表达式
发表论文
原创性声明
致谢