室温下脉冲激光沉积制备高取向度AlN薄膜

摘要

用脉冲激光沉积（PLD）方法，在p-Si（100）衬底上、室温下和不同N2氛围中制备了高度取向的A1N薄膜，并利用X射线衍射（XRD）仪、傅立叶变换红外（FTIR）光谱仪和扫描电子显微镜（SEM）对样品的特征进行了研究。结果表明，在从5×10^-6～5．0Pa的N2气压范围内，制备的薄膜都呈现h＜100〉晶向，并且随着气压的升高，样品的结晶度有明显的提高。另外，随着N2浓度的增大，Al-N键的结合度增强，AlN晶粒的尺寸增大，在样品表面出现杂散晶粒，薄膜的粗糙度增大。