退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
刘红兵; 王琦; 任晓敏; 黄永清;
北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室;
北京100876;
东华理工大学核工程技术学院;
江西344000;
InP/GaAs异质外延; 低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD); InxGa1-xP; 组分渐变缓冲层;
机译:使用渐变的In_xGa_(1-x)As-InP变质缓冲层的GaAs衬底上的InAlAs太阳能电池
机译:连续渐变In_xGa_(1-x)As / GaAs(001)和GaAs_(1-y)P_y / GaAs(001)变形缓冲层中的平衡晶格弛豫和错配位错
机译:利用MOCVD研究GaAs衬底上直接变质In_xGa_(1-x)As和InP外延层
机译:具有渐变In的GaAs(100)上的InGaAs / InP和InAsP / InP量子阱 x sub> Ga 1-x sub> As或In 1-y sub> Ga y sub> P缓冲区气源分子束外延生长的碳层
机译:通过异质外延GaN薄膜中的缓冲层控制应力和缺陷
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:在变质缓冲层的结构性质和形态的优化 - = sub = -x - = / sub = -al-= sub = -1-x - = / sub = -1-x - = / sub = - 通过在GaAs上的分子束外延生长的组合物(x = 0.05-0.83)的组合物的根谱(001)
机译:通过弛豫渐变Gexsi(1-x)缓冲层在Ge / Gesi / si衬底上直接单片集成alxGa(1-x)as / InxGa(1-x)as LED和激光器的策略。
机译:在GaAs和InP衬底上形成原子光滑的InGaP和InP阻挡层的半导体异质结构的方法
机译:Nb-GaAs异质外延膜和GaAs-Nb-GaAs双异质外延膜的生产方法无效
机译:在GaAs半绝缘衬底上异质外延沉积InP的方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。