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程成; 薛催岭; 宋仁国;
浙江工业大学应用物理系;
浙江杭州310023;
浙江工业大学教育部机械制造与自动化重点实验室;
浙江杭州310014;
脉冲激光沉积; Ge; 纳米薄膜; 微观结构; 生长机理;
机译:脉冲激光沉积法制备纳米多孔Ni-Ge_(0.8)Gd_(0.2)O_(1.9-x)薄膜金属陶瓷SOFC阳极
机译:脉冲激光沉积制备非晶Ge-Ga-Se-KBR薄膜的光学性质研究
机译:激光能量对脉冲激光沉积制备的Ge_2Sb_2Te_5薄膜晶化的影响
机译:脉冲激光沉积制备非晶Ge-As-Te薄膜的光稳定性研究
机译:研究NbNx薄膜和通过脉冲激光沉积和热扩散生长的纳米粒子。
机译:脉冲激光沉积制备锂离子电池纳米晶Fe2O3薄膜阳极
机译:脉冲激光沉积法制备Cu-Zn纳米结构铁氧体薄膜的制备与表征
机译:脉冲激光沉积制备LiFepO4薄膜的电化学研究
机译:脉冲激光沉积不含脉冲激光沉积的错开半导体纳米结构,没有播种或催化剂
机译:双脉冲激光沉积法制备氮化镓P型半导体晶体薄膜的方法及相同方法制备的薄膜
机译:固体靶脉冲激光气相沉积法制备GaN晶体薄膜的方法及该方法制备的薄膜
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