Si基多量子阱SiGe/Si波导光电探测器的制备和研究

摘要

采用分子束外延MBE技术,在Si衬底上外延高质量的20周期SiGe/Si多量子阱(MQW)层;以SiGe/Si MQW材料作为吸收区,在Si基上制备波导型PIN光电探测器;金属Al制作在器件的台面上下,形成金属-半导体肖特基接触。测试结果表明,器件在-2V偏压下,对台面面积为7 500μm2,暗电流为0.1μA;在0V偏压下,探测器的光响应谱的吸收峰值为1 008nm,并可以观察到随着吸收长度的增大,响应信号也随之增大。