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李飙; 徐源; 常本康; 王晓晖; 杜玉杰; 高频; 张俊举;
南京理工大学电子工程与光电技术学院;
江苏南京210094;
梯度掺杂; GaN; 光电阴极; 激活工艺;
机译:梯度掺杂GaAs光电阴极与均匀掺杂GaAs光电阴极的比较
机译:具有超薄n型掺杂Si的GaN盖层的NEA GaN光电阴极的DFT研究
机译:指数掺杂GaN纳米线光电阴极的量子效率和光电特性研究
机译:均匀掺杂和梯度掺杂NEA GaN光电阴极的比较研究
机译:用同步加速器辐射研究宽带隙GaN和薄铝掺杂层的电子和原子结构。
机译:角分辨X射线光电子能谱研究Al2O3封端的GaN / AlGaN / GaN异质结构的表面极化
机译:Si掺杂GaN中黄带的时间分辨阴极发光和光电流研究
机译:极高电荷,高偏振梯度掺杂应变Gaas光电阴极
机译:检测包括核苷酸序列和装置在内的小生物物体表面上分子组的位置和类型的电子干扰方法(57)本发明涉及检测生物物体的结构,可用于研究小型生物物体的表面结构物体(例如大分子)并检测其上放置的分子的位置和类型。一种装置,包括具有在其上的由非导电材料制成的基底的基底,光电阴极和阳极,其中在其之间存在用于研究对象的位置和电子散射体。光电阴极内至少有一个窗口,该光电阴极区域与窗口相邻,该窗口由功函数降低的材料制成。窗口通过至少一个狭缝连接到光电阴极之外的区域,其长度超过其宽度。在窗口和狭缝区域下方以较小的深度布置有冷却电极,其中在电极和缝隙区域下方布置有加速电极。
机译:制造p型GaN基复合半导体的方法,激活包含在GaN基复合半导体中的p型掺杂剂的方法,GaN基复合半导体器件以及GaN基复合半导体光发射器
机译:制造p型基于gan的复合半导体的方法,激活包含在基于gan的复合半导体中的p型掺杂剂的方法,基于gan的复合半导体装置以及基于gan的复合半导体光导体
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