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刘杰铭; 陈新亮; 田淙升; 梁俊辉; 张德坤; 赵颖; 张晓丹;
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所、光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室、光电信息技术科学教育部重点实验室;
天津300071;
ZnO薄膜; Mg和Ga共掺; H2引入; 衬底温度; 光学带隙展宽; 太阳电池;
机译:在不同温度下在a-Al_2O_3衬底上生长的射频磁控溅射a-(Cr_(1-x)Al_x)_2O_3薄膜的光学特性
机译:Al含量,衬底温度和氮气流速对反应磁控溅射制备的纳米结构TiAlN薄膜光学带隙和光学特性的影响
机译:直流磁控溅射镉铟薄膜的结构,电学和光学特性:衬底温度的影响
机译:衬底温度对射频磁控溅射CZTS薄膜生长的影响
机译:射频磁控溅射生长的GaN薄膜的特性用于制造AlGaN / GaN HEMT生物传感器
机译:射频磁控溅射在CpTi衬底上制备TiC薄膜的微观结构结构和摩擦学特性的数据集
机译:直流磁控溅射衬底温度对巨磁结构上的基板温度控制的影响及Fe 2.45 sum> Sm合金薄膜的易感性
机译:外延YBa2Cu3O(7-x)薄膜:扫描隧道显微镜研究外延生长的初始阶段,生长机制和衬底温度的影响。
机译:氮化物生长衬底,特别是用于光电子器件中氮化镓的异质外延沉积,是通过粘合生长衬底和支撑衬底的柔顺薄膜并减薄生长衬底而制成的
机译:制备模板,该模板包括衬底和由例如铝制成的晶体层。氮化铝包括例如在晶体生长温度下在衬底上执行材料的晶体生长,更改为第二温度并继续生长
机译:通过在生长温度下将衬底与薄膜分离,消除了外延沉积薄膜中的热失配缺陷
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