离子注入硅CO2激光退火

摘要

＜正＞ 半导体硅用离子注入掺杂,优点是精度度、可控性好、问题是高能离子对样片的晶格有破坏作用,如注磷,当注入剂量大于1014（厘米）~2时,样片注入层的晶格就全被打乱了。所以用离子注入掺杂后一定要