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苏锋;
不详;
英特尔公司; 硅晶体管; 3D结构; 革命性; 芯片; 晶体管设计; 美国加州; 电子设备;
机译:IBM通过晶体管开发突破实现新一代芯片-晶体管的根本变化
机译:英特尔的22nm三栅极晶体管暴露
机译:英特尔宣布推出用于智能手机的22nm新一代Atom处理器IC
机译:智能手机;从20 / 22nm到5 / 7nm的探索性研究,采用高迁移率沟道材料驱动的技术不仅限于摩尔式3D堆叠器件/芯片和摩尔式FinFET 3-D掺杂
机译:用于22nm以下3D器件结构的CD计量的带电粒子成像方法。
机译:用于22nm体PMOS晶体管的HK和MG集成了源极和漏极中的高应变SiGe
机译:采用全耗尽三栅极晶体管,自对准触点和高密度mIm电容器的22nm高性能和低功耗CmOs技术
机译:ada编译器验证摘要报告:证书编号940902s1.11377 UNIsYsCorporation。适用于Windows NT的Integrada,版本1.0。英特尔台式服务器采用英特尔80486DX266 =>英特尔台式服务器采用英特尔80486DX266
机译:具有彼此不同厚度的半导体芯片的多芯片封装以及相关装置,在采用半导体芯片的层状结构时能够实现高可靠性
机译:采用APC的3D IC突破计量
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