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离子束刻蚀工艺误差对DOE器件的影响

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摘要

针对衍射光学元件(DOE)的离子束刻蚀工艺,结合掩模套刻过程实例,本文提出了刻蚀误差面形分布的概念.在标量衍射的夫琅和费原理上,进行了误差数值模拟分析及讨论.模拟分析和实验数据结果表明,误差的面形分布在DOE器件的衍射焦斑中心会产生一个明显的光强畸变毛刺亮点,严重破坏了靶场照明的均匀性.

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来源
《光电工程》|2007年第11期|50-54,60|共6页
作者
刘强; 张晓波; 邬融; 田杨超; 李永平;
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作者单位

中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026;

中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026;

中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026;

中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,安徽,合肥,230027;

中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026;

中国科学院量子信息重点实验室,安徽,合肥,230026;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类惯性约束装置;
关键词
衍射光学元件; 误差面形; 掩模套刻; 离子束刻蚀;
入库时间 2022-08-18 03:01:34

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