机译:包含第一和第二DOE的半导体晶片的制造和使用的工艺,该第一DOE和第二DOE是兼容标准单元的,启用NCEM的填充单元,第一DOE包括蛇形开口的填充单元,第二DOE包括针脚开口的填充单元
公开/公告号US9865583B1
专利类型
公开/公告日2018-01-09
原文格式PDF
申请/专利权人 PDF SOLUTIONS INC.;
申请/专利号US201715635595
发明设计人 STEPHEN LAM;DENNIS CIPLICKAS;TOMASZ BROZEK;JEREMY CHENG;SIMONE COMENSOLI;INDRANIL DE;KELVIN DOONG;HANS EISENMANN;TIMOTHY FISCUS;JONATHAN HAIGH;CHRISTOPHER HESS;JOHN KIBARIAN;SHERRY LEE;MARCI LIAO;SHENG-CHE LIN;HIDEKI MATSUHASHI;KIMON MICHAELS;CONOR OSULLIVAN;MARKUS RAUSCHER;VYACHESLAV ROVNER;ANDRZEJ STROJWAS;MARCIN STROJWAS;CARL TAYLOR;RAKESH VALLISHAYEE;LARG WEILAND;NOBUHARU YOKOYAMA;
申请日2017-06-28
分类号H01L21/66;H01L27/02;H01L29/417;H01L29/06;H01L23/528;
国家 US
入库时间 2022-08-21 12:54:27