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欧洲首次在200mm硅晶圆上生长出高质量的AIGaN／GaN异质结构

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欧洲独立纳米电子研究中心IMEC与MOCVD设备供应商AIXTRON公司日前宣布，首次在200mm硅晶圆上成功生长出高质量高均匀性的AlGaN／GaN异质结构。 A1GaN／GaN异质结构在AIXTRON应用实验室中的300mm CRIUS MOCVD设备中生长得到，

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来源
《光机电信息》|2008年第6期|P.63|共1页
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正文语种 chi
中图分类化合物半导体;
关键词
AlGaN／GaN异质结构; AIGaN／GaN; 硅晶圆; 生长; 质量; 欧洲; MOCVD设备; 设备供应商;

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