靶表面粗糙度对低能电子致厚Ni靶特征X射线产额的影响研究

摘要

采用蒙特卡罗(Monte Carlo,MC)法对低能电子入射厚Ni靶时靶表面粗糙度对特征X射线产额的影响进行了模拟分析,结果表明:随着表面粗糙度的增大,其特征X射线产额逐步减小.采用扫描电镜装置测量得到了9～29 keV的电子束碰撞光滑厚Ni靶所致的K壳层特征X射线产额,通过与最新的扭曲波玻恩近似(Distorted Wave Born Approximation,DWBA)理论计算值对比表明,Kα特征X射线的实验产额与DWBA理论计算值吻合很好,Kβ特征X射线产额高于DWBA理论值约10％.因此,在今后的电子致厚靶原子内壳层电离截面实验中,需对实验靶样品表面进行镜面抛光,以减小表面粗糙度对实验结果的影响.