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谭文静; 安竹; 朱敬军; 赵建玲; 刘慢天;
四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室;
电子碰撞; 韧致辐射; Monte; Carlo模拟;
机译:在10 keV电子的影响下,测量e?’?= 2a?78的厚靶所产生的bre致辐射光谱
机译:极化Bre致辐射在5-10 keV能量范围内形成厚靶Bre致辐射光谱中的作用
机译:在10 keV电子的影响下,由Z = 2-78的厚目标产生的致辐射光谱的测量
机译:阳光亢进中的5F电子的定位Vs致致致致致致意:双性质和电子谱
机译:用PHENIX中的HBD在p sNN = 200GeV下测量Au + Au碰撞中的双电子不变质谱。
机译:通过keV电子撞击获得的厚AlTiZrMo和W靶的致辐射光谱数据
机译:10 keV和20 keV产生的Bre致辐射的角分布 厚au靶上的电子入射
机译:具有能谱和角分布的电子的厚靶Bre致辐射
机译:转换appts。从高动能电子提供致辐射-使用电子束入口孔的偏心布置和靶的永久旋转
机译:用于制造光致抗蚀剂膜厚的半导体制造中的纺丝剂和使用相同方法测量光致抗蚀剂膜厚的方法
机译:用于化学放大型正性光致抗蚀剂组合物的厚膜,厚膜光致抗蚀剂层压板,厚膜光致抗蚀剂图案的生产方法和连接端子
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