N+、O+共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟

林青; 刘相华; 朱鸣; 谢欣云; 林成鲁

首页> 中文期刊>核技术 >N+、O+共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟

N+、O+共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

将不同能量和注量的N+和O+离子依次注入于<100>硅片并高温退火,形成具有SiO2/SiOxNy/Si3N4埋层的SOI结构.本文使用在TRIM的基础上发展起来的IRIS模拟程序,并对IRIS模型进行了改进,对N+、O+离子共注入形成的SIMON结构进行了计算机模拟,并与实验制作的样品所做截面透射电镜(TEM)测试结果进行了比较,发现模拟结果与实验所得数据吻合.

著录项

来源
《核技术》|2003年第3期|212-216|共5页
作者
林青; 刘相华; 朱鸣; 谢欣云; 林成鲁;
展开▼
作者单位

中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;

中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放实验室,上海,200050;

中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;

中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;

中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类固体理论;固体性质;
关键词
N+、O+共注入,SIMON,SOI,IRIS;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 离子注入形成AIN埋层的分析与计算机模拟 [J] . 施左宇 ,林成鲁 . 功能材料 . 1993,第003期
2. 离子注入硅形成绝缘埋层的红外反射谱分析 [J] . 方子韦 ,俞跃辉 ,林成鲁 . 半导体学报：英文版 . 1990,第4期
3. 氧离子和氮离子共注人硅形成绝缘埋层的微观结构及其光学性质 [J] . 俞跃辉 ,林成鲁 ,朱文化 . 电子科学学刊 . 1991,第5期
4. 不同能量氮氧共注入形成的多层SOI结构 [J] . 刘相华 ,陈猛 ,刘忠立 . 功能材料与器件学报 . 2002,第3期
5. 氧离子和氮离子共注入硅形成SOI结构的俄歇能谱研究 [J] . 俞跃辉 ,林成鲁 ,邹世昌 . 半导体学报：英文版 . 1991,第10期
6. 不同能量氮氧共注入形成多层埋层结构 [C] . 刘相华 ,陈静 ,陈莉芝 . 第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 . 2001
7. 注入钒形成碳化硅半绝缘层的理论和技术研究 [A] . 杨晓菲 . 2005

N+、O+共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅