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应用同步辐射白光形貌术研究Nd:SGG晶体的缺陷

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应用同步辐射X射线形貌术对坩埚下降法生长的Nd:SGG晶体的缺陷进行了研究.观察到该晶体中存在较为明显的镶嵌结构晶界缺陷和位错缺陷,并分析了上述缺陷的形成原因.对提高Nd:SGG晶体质量、改进生长工艺具有一定的参考价值.

著录项

来源
《核技术》|2004年第7期|481-484|共4页
作者
丁嘉瑄; 徐家跃; 肖敬忠; 田玉莲; 朱佩平; 袁清习;
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作者单位

中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;

中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;

复旦大学物理系,上海,200433;

中国科学院高能物理研究所,北京,100039;

中国科学院高能物理研究所,北京,100039;

中国科学院高能物理研究所,北京,100039;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类结构分析;
关键词
Nd:SGG 激光晶体,同步辐射白光形貌术,晶体缺陷;

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