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高嵩; 陆妩; 任迪远; 牛振红; 刘刚;
中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011;
中国科学院研究生院,北京,100049;
运算放大器; 结型场效应管; 辐射损伤; 低剂量率; 加速评估;
机译:JFET输入运算放大器实现了最低的偏置电流和失调漂移
机译:基于JFET缓冲输入和JFET自举结构的低噪声,大动态范围增强放大器
机译:具有GaAs JFET的超低温超低功耗运算放大器
机译:总剂量引起JFET输入运算放大器中输入失调电压的增加
机译:运算放大器的设计,并采用碳化硅JFET进行模拟设计
机译:基于运算放大器的光度计电路的输入输出传递函数分析
机译:用于X射线光谱的电荷敏感型前置放大器中的电子噪声以及SiC输入JFET的优势
机译:用于运算放大器的离子注入R2JFET'。
机译:具有低输入偏置电流的JFET输入的运算放大器及其使用方法
机译:用于扩展JFET运算放大器的输入共模电压范围的电路和方法
机译:包括输入输出特性测量装置的模拟电路的输入输出特性测量方法以及包括运算放大器的模拟电路的运算放大器
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