正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤

摘要

对处于正常工作和零偏置状态的JFET输入运算放大器,进行了高低剂量率辐射试验.结果表明,工作状态影响JFET运放电路的辐射效应和辐射损伤.正常工作状态下,JFET输入运算放大器表现出时间相关效应,而零偏置状态下则具有低剂量率损伤增强效应.高剂量率或低剂量率辐射情况下,正常工作的JFET输入运放电路参数退化大于或小于零偏置状态.高剂量率辐射会在JFET输入运放的基本单元双极晶体管产生氧化物正电荷和界面陷阱.从氧化物正电荷和界面态与工作状态的关系方面,对JFET运放电路的退化行为进行了解释.