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王改丽; 余学峰; 任迪远; 郑玉展; 孙静; 文林;
新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;
中国科学院研究生院,北京,100049;
新疆大学物理学院,乌鲁木齐,830046;
CMOS; 总剂量辐射; 漏电流; 机理;
机译:伽马射线辐照对CMOS / SIMOX器件的总剂量效应
机译:批量CMOS和CMOS / SOS器件总剂量测试方法的比较
机译:通过基本器件和像素阵列行为分析评估深亚微米CMOS成像技术的总剂量
机译:在4.2 K下工作的CMOS晶体管的总剂量和60 MeV质子辐照响应的比较
机译:用于光子器件的CMOS兼容硅纳米线的生长和光学特性。
机译:超越CMOS:III-V器件RF MEMS和其他异种材料/器件与Si CMOS的异构集成以创建智能微系统
机译:CmOs器件强化总剂量辐射效应。
机译:CMOS器件针对总剂量辐射效应进行了硬化
机译:CMOS器件克服了总剂量辐射效应
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