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CMOS 4000及54HC器件的总剂量辐照响应特性比较

         

摘要

通过对CMOS 4000、54HC系列门电路进行不同偏置条件下的电离辐照实验,比较了电离辐照环境中CMOS 4000和54HC系列电路的总剂量辐照响应特性,对其响应差异进行了较深入的机理研究,并探讨了54HC电路的抗辐射能力测试方法和评判标准.

著录项

  • 来源
    《核技术》 |2008年第5期|348-351|共4页
  • 作者单位

    新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

    中国科学院研究生院,北京,100049;

    新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

    新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

    新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;

    中国科学院研究生院,北京,100049;

    新疆大学物理学院,乌鲁木齐,830046;

    新疆大学物理学院,乌鲁木齐,830046;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 场效应型;
  • 关键词

    CMOS; 总剂量辐射; 漏电流; 机理;

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