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胡志良; 贺朝会;
西安交通大学,西安,710049;
总剂量效应; SOI NMOS; 数值模拟;
机译:具有掩埋沟道SOI源跟随器的混合体/ SOI CMOS有源像素的总剂量辐射效应
机译:总剂量辐射下磷离子注入对部分耗尽SOI NMOS背栅效应的影响
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机译:28nm FD-SOI CMOS晶体管的总剂量效应
机译:SOI CMOS技术的辐射效应和温度效应。
机译:工艺参数对健康香菇大米零食物理性能和比机械能的影响以及响应面法优化挤压工艺参数
机译:使用NPS Linac对硬化的SOI双极晶体管的总剂量辐射效应
机译:使用NpsLINaC对硬化sOI双极晶体管的总剂量辐射效应
机译:自我优化电路,以减轻完全耗尽的SOI技术中的总剂量效果,温度漂移和老化现象
机译:面积有效的单腿SOI MOSFET结构不受单事件效应和双极闩锁的影响
机译:面积有效的单腿SOI MOSFET结构,不受单事件效应和双极性闩锁的影响
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