水溶液中低温电沉积法制备锗薄膜工艺

摘要

以二氧化锗作为锗源,在水溶液体系中分别以固态和液态电极进行半导体锗薄膜的制备并对其进行分析。XRD和拉曼光谱显示在Cu板上制备的样品均为无定形态的锗,沉积温度和时间对锗薄膜最终形成厚度具有显著影响,同时,过高的沉积温度会使锗薄膜在生长过程中产生裂缝。而在较低温度下(<90℃)可在液态电极上制备出晶体锗薄膜,且当沉积温度为80℃时晶体锗薄膜质量相对最好。此外,XRD结果表明,较低的锗源浓度(<70 mmol/L)会阻碍锗在(220)和(311)晶面的生长。