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籍远明; 宫伟力; 张金仓;
上海大学;
上海200436;
中国矿业大学北京校区;
北京100083;
导电陶瓷; 结构缺陷; 正电子湮没; 扫描电子显微镜; 掺杂; 氧化锌;
机译:(109928)通过正电子湮没和相关实验研究表征银磷酸银玻璃纳米复合材料的结构缺陷
机译:通过正电子湮没寿命光谱研究裸露,PVP封装和TPPO型铜氧化铜氧化物纳米粒子的结构缺陷及其对罗丹明B的光催化降解的影响
机译:正电子湮没研究磨损前后铌近表面区域
机译:通过正电子湮没研究的铌中的氢诱导的缺陷
机译:掺杂和不掺杂铌酸铅铟:铌酸镁铅的温度稳定性得到改善的高介电常数陶瓷和薄膜的研究
机译:通过正电子湮没寿命光谱和椭圆仪孔隙测定研究的开放孔隙率和孔径分布的介孔二氧化硅膜
机译:8YsZ纳米结构缺陷分布的正电子湮没研究
机译:正电子湮没作为铝,钛及其合金和镍基高温合金微观结构缺陷无损评价工具的应用研究。
机译:掺杂掺杂的氧化锌颗粒,含镓掺杂的氧化锌颗粒,透明导电膜,电子器件和生产镓掺杂氧化锌颗粒的方法
机译:用于正电子湮没特性的测量装置和测量方法
机译:用于测量正电子湮没寿命的装置,调整辐射测量仪的方法,以及辐射测量仪
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