Ti(SO4)2为钛源电沉积法制备TiO2薄膜的研究

摘要

以Ti(SO4)2为钛源采用阴极电沉积法在导电玻璃上生成TiO2薄膜.采用单因素法分析了电压、pH、时间等因素对阴极电沉积TiO2薄膜的影响,确定了电沉积液最佳配方和工艺条件,并采用XRD、SEM、TG-DTA等分析手段进行了表征.实验结果表明:阴极电沉积法制备TiO2薄膜的最佳配方及工艺条件为10mLTi(SO4)2,3mLH2O2,2mLHNO3,8mL NH3·H2O,20mL H2O,pH为1.5,电压为3.5V,沉积时间为20min.在此条件下,在导电玻璃上能够形成一层均匀TiO2薄膜,经XRD检测该膜层晶型为锐钛矿,该膜层可应用于染料敏化太阳能电池、光催化等领域.