CO2活化对聚硅氧烷裂解SiC衍生炭孔结构的影响

摘要

cqvip:经聚硅氧烷裂解转化得到碳化硅粉体,然后对其进行氯化处理得到炭,再通过CO2活化处理得到具有高比表面积(1316.8~1929.0m^2·g^-1)的微孔炭(SiC-DC)材料。研究了CO2活化温度、时间对SiC衍生多孔炭结构的影响。采用氮气吸附法、X-ray衍射光谱(XRD)、扫描电镜(SEM)及透射电镜(TEM)等技术对SiC-DC样品微观结构随活化温度、时间演变进行表征分析。结果表明,CO2活化处理可以有效调控SiC-DC的孔结构,而对其结晶性影响很小,且活化处理后样品保持着SiC粉体或未活化SiC-DC样品的原有形态和微观结构(如石墨带)。对于已活化SiC-DC样品,比表面积(SSA)、总孔容(Vtot)及微孔孔容都随活化温度、时间增加而增加,但同时活化产率逐渐降低。相比未活化样品,SiC-DC在950℃条件下活化处理2h后,SSA和Vtot值分别增加了46.5%、86.4%,主要原因是经活化处理,微孔孔容明显增加。