基于磁屏蔽原理改善LVDT静态性能的结构研究

摘要

线性差动变压器式位移传感器(LVDT)广泛应用各种直线测量系统中,针对其存在的线性度差、灵敏度不高的问题,首次基于磁屏蔽原理提出一种三层端盖的新结构,其中外侧端盖是磁屏蔽端盖。利用有限元的方法在ANSYS Maxwell建立LVDT仿真模型,在Maxwell Circuit Editor设计外部激励电路,进行联合仿真,通过静态和瞬态磁场的仿真研究。结果分析表明该新结构能将最大线性度从1.45%降低到0.13%,灵敏度提升20mv/mm。证明该结构能有效减少远离初级线圈两端的漏磁通,可以有效改善LVDT的线性度,同时灵敏度也有相应的提升。