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王玉苗;
无;
PZT薄膜; 金属有机物; 分解; 沉积; 结构; 介电性质;
机译:(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O3和Pb(Nb,Zr,Sn,Ti)O3反铁电薄膜通过溶胶-凝胶法沉积在LaNiO3缓冲硅衬底上的相变行为
机译:沉积在LaNiO3 sub>缓冲硅上的(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O3 sub>和Pb(Nb,Zr,Sn,Ti)O3 sub>反铁电薄膜的相变行为溶胶-凝胶法处理基材
机译:脉冲激光沉积的Bapbo3导电薄膜的结构和电性能及其对PBZR0.52TI0.48O3 / BAPBO3异质结构的铁电性能的影响
机译:(0.9 ??? x)(Bi0.95La0.05)FeO3 ??? xPbTiO3 ???的结构,介电和压电性能0.1BaZrO3陶瓷
机译:镧锶锰(LA0.67SR0.33MNO3)和锆钛酸铅(PBZR0.52TI0.48O3)薄膜异质结构中的自极化感应磁电耦合
机译:(111)取向Pb(Mg1 / 3NB2 / 3)O3-PBZRO3-PBTIO3薄膜的结构和电性能用于高频换能器应用
机译:金属有机化学气相沉积在SrTiO3上的PbTiO3,PbZrxTi1-xO3和PbZrO3薄膜的光学性质
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性
机译:PBTIO3,PBZRO3和PBZRXTI1-XO3的沉积和纹理控制
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器中具有实用性
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