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杨晓婵;
批量生产技术; GaN薄膜; 气相生长; 硅基板; 大直径; 名古屋工业大学; 氮化物半导体; 评价技术;
机译:长波长发光二极管的石墨烯/ SiC基板上的应变松弛GaN薄膜外延生长的示范
机译:衬底氮化时间对分子束外延生长在硅上的GaN薄膜热学性能的影响
机译:MOVPE上硅基板上的GaN薄膜外延生长
机译:氢封端的硅(111)和外延生长的石墨烯基板上功能有机物的表征和纳米图案化。
机译:一种新颖的二维硅纳米模具制造技术用于在直径4英寸的基板上形成线性纳米通道
机译:勘误:“使用低温生长技术在近晶格匹配的铪基板上外延生长GaN薄膜”[apL mater。 4,076104(2016)]
机译:观察蓝宝石上mBE生长的GaN薄膜的受激发射。
机译:结合到基板上的大表面积硅的制造方法以及如此制成的硅键合基板
机译:GaN薄膜模板基板的制造方法,GaN薄膜模板基板和GaN厚膜单晶
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