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中国科学院半导体研究所;
中国科学院半导体研究所; 基础研究; GaS; 超薄; 二维; 国家重点实验室; 纳米尺度; 博士后;
机译:通过分子束外延生长的超薄Bi2Se3薄膜中的半导体介导半导体的半导体介导
机译:互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容砷化镓金属 - 半导体 - 金属光电探测器(GaAs MSMPDS)在硅上使用超薄锗缓冲层进行可见光应用
机译:在 2 se 3 sub>中,在超薄二维层半导体中涉立平面内的面内和面外铁电性
机译:瞄准无阈值半导体激光器:在GaAs / AlGaAs中成功制造二维光子带隙结构
机译:有机半导体系统中的化学吸附:有机半导体-有机半导体和有机半导体-金属界面的研究。
机译:超薄一维和二维胶体半导体纳米晶体:将量子限制推到极限
机译:用超薄氧化物对金属/氧化物/半导体(MOS)器件中的氧化物/半导体界面进行光电子能谱研究。
机译:Gaas和其他III-V半导体化合物上金属的形态,化学和电学性质的基础研究
机译:制造超薄半导体晶片的方法制造超薄半导体晶片的方法包括构成以上描述的方法和太阳能电池制造的所有步骤的超薄半导体晶片方法,该制造方法包括制造超薄半导体晶片的方法。
机译:制造p型GaN基复合半导体的方法,激活包含在GaN基复合半导体中的p型掺杂剂的方法,GaN基复合半导体器件以及GaN基复合半导体光发射器
机译:制造p型基于gan的复合半导体的方法,激活包含在基于gan的复合半导体中的p型掺杂剂的方法,基于gan的复合半导体装置以及基于gan的复合半导体光导体
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