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朱烨; 雷素茵; 张强; 沈亮; 王家波;
中国电子科技集团公司第五十五研究所,江苏南京 210016;
氮化镓; 微带线; 效率; 热仿真;
机译:优化高性能氮化铟镓/氮化镓基薄膜垂直发光二极管的n型触点设计和芯片尺寸
机译:一种基于氮化镓的3-10-GHz倒装芯片集成宽带功率放大器
机译:基于氮化镓的基于氮化镓的超短速信号处理装置
机译:基于氨基氯化镓络合物热解的氮化镓和氮化镓膜的动力学,氨基氨基甲基--3NH_3
机译:基于氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管的倒装芯片集成宽带功率放大器
机译:复合体系镓氮化镓GaN-氮化镓锡中的新型氮化物纳米粒子
机译:通过半透明子层对的基于氮化镓的迷你LED芯片的大观察角度实现了均匀的照明。
机译:利用氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)异质结构的负极化特性实现具有深紫外(<250nm)发射的频率倍增蓝绿激光(2年级)。
机译:基于氮化镓的芯片,芯片制造方法,氮化镓动力装置和电路
机译:生长用于基于氮化镓的半导体电子器件的氮化镓半导体膜的方法,制造基于氮化镓的半导体电子器件的方法,外延衬底以及基于氮化镓的半导体电子器件
机译:-iii-氮化物-半导体晶体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体,发光器件由基于氮化镓的化合物半导体和使用的光源,发光半导体器件
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