...
机译:一种基于氮化镓的3-10-GHz倒装芯片集成宽带功率放大器
机译:具有L-C-R宽带匹配的3-9 GHz GaN基微波功率放大器
机译:使用倒装芯片键合的1-8 GHz GaN基功率放大器
机译:多层有机基板和铜上的混合集成微流体通道,用于调谐和冷却基于RF可重构S- / C-Band GaN的功率放大器
机译:完全集成的倒装芯片SiGe BiCMOS功率放大器,用于802.11ac应用
机译:基于氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管的倒装芯片集成宽带功率放大器
机译:集成了串联二极管线性化器的超声波功率放大器对HeLa细胞增殖的抑制技术
机译:基于GaN HEMTs技术的4-18GHz 6W倒装芯片集成功率放大器的建模