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江民红; 顾正飞; 刘心宇; 成钧;
桂林电子工业学院,信息材料科学与工程系,桂林,541004;
Pt; Pr; 薄膜; (111)择优取向; 射频磁控溅射; 热处理工艺; 生长机制;
机译:射频磁控溅射法制备高(110)取向BaCeO3基质子传导氧化物薄膜
机译:离子束辅助射频磁控溅射法制备的c轴平行取向ScAlN薄膜的机电耦合系数
机译:射频磁控溅射法制备(110)取向p型非掺杂Mg_2Si薄膜的电学性能
机译:射频磁控溅射制备(111)择优取向PLT薄膜的畴结构和热电性能
机译:反应性射频磁控溅射法合成铜铁矿薄膜及其表征
机译:杂化钙钛矿的新型物理气相沉积方法:通过射频磁控溅射法生长MAPbI3薄膜。
机译:射频磁控溅射法制备70TeO2-30WO3玻璃薄膜及其表征
机译:(111)pt基底上快速热退火锆钛酸铅薄膜的取向
机译:用射频磁控溅射法和薄膜太阳能电池用射频薄膜制备木质薄膜的方法
机译:通过使用该基质形成的形成(111)取向的PZT型介电薄膜和(111)取向的PZT型介电薄膜的基质
机译:制造平面取向的MgO薄膜的方法(111)
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