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初桂珍;
无;
二氧化硅; 薄膜; 栅介质; LPCVD;
机译:超薄氧化硅膜对以氮化硅为栅介质的金属诱导的横向结晶薄膜晶体管的性能和可靠性的影响
机译:新型PEALD-AlN / LPCVD-Si 3 sub>晶体管的823-mA / mm漏电流密度和945-MW / cm 2 sup> Baliga的品质因数增强型GaN MISFET > N 4 sub>双栅介质
机译:以LPCVD SiNx作为栅介质的AlGaN / GaN MISHEMT中界面陷阱的研究
机译:通过通过控制早移的超薄二氧化硅膜通过超薄硅二氧化硅膜进行隧道电流
机译:紧凑的栅极电容和栅极电流建模,可用于超薄(EOT〜1 nm及以下)二氧化硅和高kappa栅极电介质。
机译:顶栅石墨烯纳米带晶体管具有超薄高k电介质
机译:Ti对超薄高κLaTiON栅介质锗金属氧化物半导体电容器电性能的影响
机译:二氧化硅热氮化制备薄氧氮化物栅介质的性能
机译:使用有机乙硅烷源通过LPCVD在低至100 C的温度下沉积二氧化硅膜
机译:一种使用有机乙硅烷源通过LPCVD在约100°C的低温下沉积二氧化硅膜的方法
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