单片机的电磁抗扰度仿真与实验研究

摘要

针对单片机的电磁兼容问题,采用了实验和仿真相结合的方式,研究了单片机的电磁抗扰度。首先利用DPI法测试单片机的电磁抗扰度,其次提出了一种基于DPI的单片机电磁抗扰度ICEM模型,利用IC-EMC仿真软件在不同的频率下对单片机的内核电压进行仿真,结果表明在低频段仿真结果和实验测试结果一致性较好,使用该模型可以对单片机的电磁抗扰度进行预测。