金属性MoO_(2)纳米材料的制备及电阻的微区测量

摘要

为了研究MoO_(2)的本征电阻率,采用化学气相沉积法(CVD)在蓝宝石衬底上制备金属性MoO_(2)纳米材料,随后将材料转移到SiO_(2)衬底制备成双端电阻器件,在进行电压-电流曲线测量的同时,采用开尔文探针力显微镜(KPFM)研究不同偏压下MoO_(2)纳米材料表面电势的空间分布。结果表明:传统测量时忽略了接触电阻和热效应的影响,导致测量结果偏高;测量的MoO_(2)的本征电阻率为6×10^(-5)Ω·cm,可以媲美高质量ITO薄膜电极。所以,MoO_(2)作为一种廉价电极材料在电子器件中具有潜在的应用前景。