SiC陶瓷基片的烧结工艺与SiCp／Al复合材料的制备方法

摘要

概述了电子封装基片材料的基本性能要求；讨论了SiC陶瓷基片常用的4种烧结工艺，即常压烧结、热压烧结、反应烧结和放电等离子烧结；介绍了SiCp／A1复合材料的制备方法，即搅拌铸造法、无压渗透法、喷射沉积法、粉末冶金法；据此进一步提出了SiC陶瓷基片材料的发展方向。