含C源AlN陶瓷基片烧结工艺研究

摘要

采用石墨发热体高温炉,对流延工艺成型的AlN陶瓷基片进行了几种烧结温度、时间的实验,并与金属发热体常压高温烧结炉烧制的AlN陶瓷基片进行了体积密度、硬度、气孔率、表面形貌和晶体结构的对比.实验表明,石墨发热体高温条件下形成的C源,对AlN陶瓷基片烧结影响不大;高温烧结条件下助剂的烧结作用明显,会提升助剂晶相的含量;可以选择性引导AlN晶面的生长;保持低温烧结条件,有利于保持AlN晶相结构.