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纳米多孔SiO2薄膜疏水性的研究进展

     
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摘要

超低介电常数纳米多孔SiO2薄膜在未来超大规模集成电路(ULSI)中有着广阔的应用前景,但其疏水性能的好坏是决定其能否在ULSI中应用的重要因素之一.介绍了国内外有关纳米多孔SiO2薄膜疏水性的原理、工艺以及表征方法.

著录项

  • 来源
    《材料导报》|2005年第11期|39-42|共4页
  • 作者

    高庆福; 冯坚; 成慧梅; 周仲承; 王娟; 张长瑞;

  • 作者单位

    国防科技大学航天与材料工程学院CFC国防科技重点实验室,长沙,410073;

    国防科技大学航天与材料工程学院CFC国防科技重点实验室,长沙,410073;

    国防科技大学机电工程与自动化学院CFC国防科技重点实验室,长沙,410073;

    国防科技大学航天与材料工程学院CFC国防科技重点实验室,长沙,410073;

    国防科技大学航天与材料工程学院CFC国防科技重点实验室,长沙,410073;

    国防科技大学航天与材料工程学院CFC国防科技重点实验室,长沙,410073;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 工程材料学;
  • 关键词

    纳米多孔SiO2薄膜; 疏水处理; 接触角; 低介电常数;

  • 入库时间 2022-08-17 16:23:56

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