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靳瑞敏; 王玉仓; 陈兰莉; 罗鹏辉; 郭新峰; 卢景霄;
南阳理工学院太阳能电池研究所,南阳,473000;
郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;
南阳医学高等专科学校,南阳,473004;
PECVD法; 非晶硅薄膜; 多晶硅薄膜; 二次晶化; 拉曼光谱; 扫描电镜;
机译:退火温度对等离子体增强化学气相沉积法制备的玻璃上多晶硅薄膜和太阳能电池结晶动力学和性能的影响
机译:固相结晶制造的多晶硅薄膜晶体管中陷阱密度的提取及其与后退火温度和时间的关系
机译:快速热退火温度对玻璃上非金属化多晶硅薄膜二极管的影响
机译:退火温度和时间对APS制备的8苏斯粉末相组分的影响
机译:低温多晶硅薄膜晶体管的制备与表征
机译:通过过氧钛复合物离子制备的过氧钛酸盐纳米管晶体结构形态和光学性质的退火温度的影响
机译:退火温度和激光脉冲能对脉冲激光沉积制备的CuO膜光学性质的影响
机译:退火温度,时间的去应力退火蒙乃尔合金金属板块效应在后1/2英寸的物理特性温度。蒙乃尔合金金属板
机译:退火温度对溶胶-凝胶法制备的白色发光二极管红光LIEUW2O8磷的影响
机译:一种在电炉中使用可见金属显示铁,钢和其他磁影响流处理中退火温度的方法和装置
机译:铜和镍显着降低制造时间间隔的横向生长诱导法制备多晶硅薄膜的方法
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