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陈一峰; 刘兴钊; 邓新武;
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;
SiC; 化学气相沉积; 晶须;
机译:通过VLS机制对SiC晶种生长的不同构型的实验研究
机译:使用炉渣(CaO-Al2O3-SiO2-MgO)液滴作为催化剂,通过VLS机制生长MgO晶须
机译:侧面的硅晶须的生长过程中形成的VLS机制,
机译:在6H-SiC上通过VLS生长的(111)3C-SiC种子上的LPE生长的SiC外延层中的缺陷诱导多型转变
机译:金属晶须:电场在晶须生长缓解的形成机制和方法中的作用
机译:在ZRB2-SiC复合粉末合成中具有高纵横比的SiC晶须的原位生长行为
机译:SIC(G)-CO系统的SIC晶须的生长。 III。催化剂对SiO(G)-CO系统SiC晶须生长的影响。
机译:siC晶须生长VLs工艺的开发
机译:包括在SiC纤维表面上生长的SiC晶须和制造方法的方法
机译:一种通过vls机制生产晶须的方法。
机译:3C-SIC纳米晶须及其合成方法和3C-SIC纳米晶须
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