稻壳SiC晶须合成的热力学基础及VLS催化生长机理

摘要

本文对稻壳合成ＳｉＣ晶须（简称ＳｉＣｗ）及ＳｉＣ颗粒（简称ＳｉＣｐ）进行了热力学分析，确定了基元反应，设计了ＳｉＣｗＶＬＳ生长的新型复合催化剂。研究表明：在稻壳合成ＳｉＣｗ的反应中，ＳｉＣｐ的生成是不可避免的；在新型复合催化剂作用下，ＳｉＣｗ的生成率可达３０％以上；ＳｉＣｗ的生长为粗糙界面生长机制，ＳｉＣｗ表面光滑。