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师庆华;
无;
磷化铟; 发光材料; 锗; 离子注入; 晶格畸变;
机译:InxGa1-xAs / InP外延膜中的晶格畸变:第二层和第三层XAFS研究-艺术。没有。 115326
机译:使用纳米束X射线衍射深度解析高Ge含量SiGe /成分梯度SiGe薄膜中的晶格畸变
机译:通过 src =“ / images / tex / 16633.gif” alt =“ J”> inline-formula> – src =“ / images / tex / 18630.gif” alt =“ V”> inline-formula> – src =“ / images / tex / 28848.gif” alt =“ T”> inline-formula>测量
机译:Si(001)中GE杂质的局部晶格畸变:多散散射的EXAFS研究
机译:工程两性离子可转换染色质模拟纳米颗粒的免疫调节。
机译:局部晶格畸变驱动的多铁性Ge1-xMnxTe中的铁电相变
机译:连续原子位移和晶格畸变 fcc-bcc-hcp系统中的马氏体转换
机译:通过金属有机分子豆外延生长在Ge / p共注入Inp衬底上的Inp / InGaas异质结双极晶体管。
机译:集成有SiGe时钟分配网络的宽带InP数模转换器
机译:集成了SiGe时钟分配网络的宽带Inp数字至模拟转换器
机译:制造用于测量晶格畸变的样品的方法和用于测量晶格畸变的方法
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