芯片内自由流电泳模拟研究

摘要

本文采用基于有限元法的多物理场耦合技术对两种通道结构的自由流电泳芯片的电泳行为进行模拟.模拟结果指出在芯片自由流电泳过程中流体行为是该芯片分离性能的重要影响因素.二维深度通道结构的自由流电泳芯片其流体行为相较于一维深度通道自由流电泳芯片更为复杂,并可解决了一维深度通道自由流电泳芯片的局限性.二维深度通道自由流电泳芯片内的两种流体行为为实际操作提供了理论指导.