Fe纳米线转化成铁氧化物半导体的制备方法及气敏性能研究

摘要

通过电沉积法制备出Fe纳米线,再将纳米线转化成空心的铁氧化物半导体纳米花,其大小均匀,粒径250 nm,具有气敏响应性能.在纳米花上掺杂Au纳米颗粒,气敏响应性能显著提高,具有较高的选择性、稳定性和灵敏度,是较理想的气敏传感器材料.