PECVD法制备SiO2膜均匀性研究

摘要

针对半导体产业对氧化硅薄膜的需求,介绍了采用自制的PECVD设备研究了SiO2薄膜生长的膜厚均匀性分别与喷淋板孔结构和工艺参数之间的关系.实验结果表明:在结构方面,SiO2薄膜均匀性主要受到喷淋板孔径大小与结构的影响;在工艺参数方面,SiO2薄膜的膜厚均匀性主要受到反应腔室压力的影响.通过结构和工艺参数的综合调整,制备出了膜厚均匀性好的SiO2薄膜.