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谷留停; 叶凤娇; 彭科; 代海洋; 刘德伟; 陈镇平;
郑州轻工业大学物理与电子工程学院,河南郑州450001;
CuFeO2; 陶瓷材料; Ti4+掺杂; 晶体结构; 微观形貌; 介电性能;
机译:A位和B位掺杂对BiFeO_3陶瓷结构,热学和介电性能的影响
机译:PLZT陶瓷B位掺杂Fe和Mn对介电性能的影响
机译:Mn掺杂对CuFeO2陶瓷微观结构和磁性能的影响
机译:研究B位掺杂对高居里温度下无铅压电陶瓷介电性能的影响
机译:掺杂,阳离子化学计量和加工条件对高K钛酸铜铜陶瓷的介电性能的影响。
机译:烧结温度对火花等离子体烧结制备多铁性YFeO3陶瓷的结构介电和磁性能的影响
机译:同时添加种子和掺杂剂对陶瓷0.93 PZN-0.07 BT的微观结构和介电性能的影响同时添加种子颗粒和掺杂剂对0.93 PZN-0.07 BT陶瓷的微观结构和介电性能的影响
机译:位错 - 溶质相互作用对锆掺杂Nial力学性能的影响
机译:具有公共沟道停止器和具有沟道停止器掺杂的FET沟道掺杂的场效应晶体管(FET)的制造方法,该沟道停止器掺杂与FETS之间的介电隔离自对准
机译:复合Pr掺杂对Sr2-xPrxFeMoO6双钙钛矿磁性和磁热性能的影响
机译:具有优良介电性能和介电性能的介电材料,其制造方法以及使用该介电材料的叠层陶瓷电子元件
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