多层MEMS结构的Stoney延伸公式

摘要

利用薄膜—基底结构的曲率来表征薄膜残余应力的方法正在被广泛应用,这种表征方法的理论基础是Stoney公式.然而Stoney公式所采取的假设导致它在应用范围上存在着较大的局限性.提出了一类Stoney延伸公式,利用有限元仿真以及解析计算比较分析证明,这类Stoney延伸公式不仅在一定范围内受薄膜—基底厚度比和杨氏模量比的影响比较小,而且在应用到梯度残余应力下多层MEMS结构时依然能保持较好的准确性.