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杨成林; 梁萍兰; 问明亮; 席珍强;
浙江理工大学材料工程中心;
过氧化氢; 锗; 氧化物; 少子寿命; XPS;
机译:锗对Al(111)的锗的生长受表面合金形成阻碍
机译:洁净锗(111)表面的表面结构与表面状态之间的相关性
机译:二硫化锡纳米片,其具有富含石墨烯氧化物片的富含石墨烯氧化物片的富稳压表面,作为锂和钠储存的超稳定阳极
机译:离子散射光谱法分析锗(AI)(111)上的表面矛状物
机译:低能量电子显微镜研究银/锗(111)和金/锗(111)的生长和表面动力学。
机译:从Cu(111)表面上的硼团簇到二维硼片:生长机理和空穴形成
机译:三种相关贵金属表面钴氧化物纳米岛稳定性和边缘结构的对比分析:au(111),pt(111)和ag(111)
机译:吸附在Ni(111)上的分子的光学吸收光谱和从吡嗪的表面能量转移到吡嗪的Ni(111)和ag(111)表面的能量转移
机译:氧化物立方体系(111)是在表面氧化物立方体系(111)上生产(0001)六方晶系物质的单晶特征薄膜的方法
机译:用于制造无雾的半导体表面的方法,特别是(111)特定的锗矿和砷化镓的无雾的表面。
机译:制造薄层元件包括在晶体层上外延生长锗材料的晶体层,以及在与硅锗板相对的锗材料的表面上形成氧化物层。
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