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魏晋云; 廖华; 王东城;
云南师大太阳能研究所;
Csubu/subIsubn/subSesub2/sub 薄膜 三源真空蒸发;
机译:与通过热真空蒸发从SnSe和Cu_2ZnSnSe_4源沉积的膜电极相比,从Cu_2SnSe_3源沉积的膜电极:氩气流速的影响
机译:Knudsen型源真空蒸发的CdSe薄膜的透射电子显微镜研究
机译:氩气流速对由合成Cu_2SNSE_3源热真空蒸发制备的薄膜电极性能的影响
机译:通过铝的物理气相沉积和等离子体增强的三甲基硅烷化学气相沉积产生的薄膜的原位X射线光电子能谱分析。
机译:通过真空蒸发沉积的纳米结构ZnO薄膜的表征
机译:氩气流速对由合成Cu2SNSE3源热真空蒸发制备的薄膜电极性能的影响
机译:使用三元单源前体通过气溶胶辅助化学气相沉积沉积CuIns2薄膜
机译:薄膜沉积源,沉积设备以及使用该薄膜沉积源的沉积方法
机译:薄膜沉积坩埚及其使用相同和真空蒸发装置沉积薄膜的方法
机译:用于通过使用原子层沉积方法向氧化物薄膜掺杂卤素的卤素掺杂源,用于制造卤素用于通过使用原子层沉积来对氧化物薄膜进行卤素掺杂的卤素掺杂源的方法,以及通过使用用于掺杂氧化物薄膜的方法制造的掺杂卤素的氧化物薄膜。含卤素
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