硫化温度对两步法制备FeS_2薄膜成分和结构的影响

摘要

首先采用真空热蒸发法在玻璃基片上沉积厚度约为500 nm的铁膜,然后对铁膜在温度为553～673 K的条件下恒温硫化6 h,制备FeS2薄膜.对制备的薄膜进行X射线衍射和显微结构分析,发现：合适的硫化温度为603～653 K,所得薄膜为单一物相的FeS2薄膜,n（S）/n（Fe）值为1.94～1.96,接近理想化学配比,薄膜晶粒大小均匀,表面致密.