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硫化温度对两步法制备FeS2薄膜性能的影响

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在553 K、573 K、603 K、653 K、673 K硫化温度下用两步法制备FeS2薄膜.分析了所制薄膜的结构及光电性能等,同时还研究了硫化温度对两步法制备FeS2薄膜的影响规律.

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来源
《江西科学》 |2006年第3期|245-248|共4页
作者
钟南保; 程树英;
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作者单位

南京军区福州总医院放疗科,福建,福州,350002;

福州大学物理电信学院,福建,福州,350002;

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正文语种 chi
中图分类功能材料;
关键词
薄膜; 二硫化铁; 硫化温度;

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